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利用SiC mosfet和Si IGBT的各自性能优势

作者:yy易游官网  日期:2026-02-18  浏览:  来源:yy易游体育

  

利用SiC mosfet和Si IGBT的各自性能优势

  国家知识产权局信息显示,东风汽车集团股份有限公司申请一项名为“一种IGBT和SiC芯片混合并联的电机控制器和控制方法”的专利,公开号CN121508411A,申请日期为2025年10月。

  专利摘要显示,本发明提供了一种IGBT和SiC芯片混合并联的电机控制器,涉及汽车电机控制器技术领域,该电机控制器包括:功率模块、数字控制器;功率模块包括:IGBT芯片、SiC MOSFET芯片;IGBT芯片和SiC MOSFET芯片并联连接,IGBT芯片连接IGBT芯片专用驱动电路,SiC MOSFET芯片连接SiC MOSFET芯片专用驱动电路;数字控制器连接IGBT芯片专用驱动电路和SiC MOSFET芯片专用驱动电路,数字控制器生成两路带有可编程延时的PWM信号分别送给IGBT芯片专用驱动电路和SiC MOSFET芯片专用驱动电路。本发明采用IGBT和SiC MOSFET并联技术,利用SiC mosfet和Si IGBT的各自性能优势,实现IGBT的零电压开通和关断(ZVS),开关损耗极小的SiC MOSFET承担硬开关过程,减小Si/SiC混合器件总体开关损耗,提升开关频率,达到降低能耗,提升系统效率的目的。

  天眼查资料显示,东风汽车集团股份有限公司,成立于2001年,位于武汉市,是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本858937万人民币。通过天眼查大数据分析,东风汽车集团股份有限公司共对外投资了43家企业,参与招投标项目5000次,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可156个。

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